收藏本站
IRF7413A
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
-
-
?
+
?
R G
Driver Gate Drive
P.W.
?
?
?
?
Period
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
P.W.
D=
Period
+
-
V DD
Reverse
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V
*
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
V DD
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple ≤ 5%
Forward Drop
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 13. For N-Channel HEXFETS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF7413QTRPBF MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
IRF7416QTRPBF MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
IRF7421D1TR MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
IRF7422D2TR MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
IRF7452QTRPBF MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
IRF7452TR MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
IRF7457TR MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
IRF7459TRPBF MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
IRF7413GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7413PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7413QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7413QPBF_10 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET
IRF7413QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7413TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
IRF7413TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7413TRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 30 V 2.5 W 52 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8